絕緣子電阻測(cè)試儀采用進(jìn)口集成電路，根據(jù)部頒標(biāo)準(zhǔn)研制，是測(cè)量絕緣子的設(shè)備，處于國(guó)內(nèi)水平。
絕緣子電阻測(cè)試儀主要用于電力高壓輸電線路絕緣電阻的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，以便及時(shí)更換絕緣電阻不附合要求的絕緣子，確保輸電線的可靠安全運(yùn)行。也可以作為絕緣電阻表使用。
技術(shù)參數(shù)
1、內(nèi)部電壓：約5000V直流
2、測(cè)量范圍：0~1999MΩ（測(cè)量時(shí)間：1S）
3、分 辯 力：1MΩ
4、基本誤差：±5%
5、報(bào)警閥值：＜500MΩ
6、電    源：一節(jié)9V層疊電池
7、電源電流：15mA
8、環(huán)境溫度：0℃~40℃
9、環(huán)境濕度：≤85%RH
10、鋁合金尺寸：320 mm×220 mm×85 mm
11、重      量：1kg

主要技術(shù)參數(shù)
1. 測(cè)量范圍：1~30KV
2. 精    度：1級(jí)
3. 間耐壓：40KV
4. 間電容：2Pf
5. 輸出形式：液晶數(shù)字顯示
6. 電    源：DC9V  6F22×1節(jié)（200）小時(shí)
7. 外 體 積：310mm×230mm×110mm（不包括續(xù)接桿）
8. 重    量：500g

術(shù)語(yǔ)和定義
除了符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的術(shù)語(yǔ)外，還應(yīng)符合GB/T 2900.5和GB/T 2900.8的規(guī)定。
1試驗(yàn)電壓　test voltage
在整個(gè)試驗(yàn)期間連續(xù)地施加在絕緣子上電壓的均方根值。
2試驗(yàn)設(shè)備的短路電流（lsc）　short-circuit current of test device
試品在試驗(yàn)電壓下短路時(shí)由試驗(yàn)設(shè)備所供給電流的均方根值。
3鹽度（Sa） salinity
鹽在自來(lái)水中溶液的濃度，它由鹽量除以溶液體積來(lái)表示，kg/m3。
4污穢層　pollution layer
由鹽和惰性材料組成的在絕緣子的絕緣表面上的導(dǎo)電電解層。
5污層電導(dǎo)率（K）　layer conductivity
污層的電導(dǎo)與形狀因數(shù)的乘積，它通常以μS表示。
6污穢度　pollution grade
表征施加在被試絕緣子上的人工污穢的量（鹽度、污層電導(dǎo)率、附鹽密度）的值。
7附鹽密度（SDD） salt deposit density
沉積在絕緣子的絕緣表面上的鹽量除以該表面的面積，它通常以mg/cm2表示。
8基準(zhǔn)鹽度　reference salinity
表征某一試驗(yàn)所使用的鹽度值。
9基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率　reference laver conductivity
表征某一試驗(yàn)所使用的污層電導(dǎo)率的數(shù)值，它定義為僅僅在進(jìn)行電導(dǎo)測(cè)量時(shí)帶電的一絕緣子的潮濕污層的電導(dǎo)率的大值。
10基準(zhǔn)附鹽密度　reference salt deposit density
表征某一試驗(yàn)所使用的附鹽密度的數(shù)值，它定義為從進(jìn)行任一試驗(yàn)前染污了的絕緣子中選取的幾個(gè)絕緣子或在所選取的幾個(gè)絕緣子的幾個(gè)部分上測(cè)得的附鹽密度的平均值。
11規(guī)定的耐受污穢度　specified withstand pollution grade
絕緣子在5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定試驗(yàn)電壓的絕緣子的基準(zhǔn)污穢度。
12大耐受污穢度　maximum withstand pollution grade
絕緣子在5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，在規(guī)定的試驗(yàn)電壓下四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏〉母呶鄯x度。
13規(guī)定耐受電壓　specified withstand voltage
施加到絕緣子上的試驗(yàn)電壓，絕緣子在此試驗(yàn)電壓和5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定的污穢度。
14大耐受電壓　maximum withstand voltage
絕緣子在5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定的污穢度的高試驗(yàn)電壓。

技術(shù)參數(shù)
1、天平精度：0.1mg
2、大稱量：200g
3、控溫范圍：室溫+10℃～250℃
4、溫度分辨率：1℃
5、溫度波動(dòng)度：±1℃
6、溫度均勻度：±1℃
7、抽濾流量：60L/Min
8、抽濾大真空度：0.098MPa
9、抽濾單頭抽氣量：10L/min
10、抽濾抽氣頭個(gè)數(shù)：2個(gè)
11、電源電壓：220±10%
12、環(huán)境溫度：5—40℃
13、相對(duì)濕度： 85%
http://m.cmae.org.cn